Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | Micro8™ |
Serie: | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 90 mOhm @ 2.4A, 10V |
Verlustleistung (max): | 1.8W (Ta) |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Andere Namen: | IRF7606TRPBF-ND IRF7606TRPBFTR SP001563726 |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 2 (1 Year) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 520pF @ 25V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 30nC @ 10V |
Typ FET: | P-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
detaillierte Beschreibung: | P-Channel 30V 3.6A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount Micro8™ |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 3.6A (Ta) |
Email: | [email protected] |