Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
VGS (th) (Max) @ Id: | 1.2V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±12V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | Micro8™ |
Serie: | FETKY™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 55 mOhm @ 4.3A, 4.5V |
Verlustleistung (max): | 1.25W (Ta) |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | 8-TSSOP, 8-MSOP (0.118", 3.00mm Width) |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1066pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 15nC @ 5V |
Typ FET: | P-Channel |
FET-Merkmal: | Schottky Diode (Isolated) |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
detaillierte Beschreibung: | P-Channel 20V 4.3A (Ta) 1.25W (Ta) Surface Mount Micro8™ |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 4.3A (Ta) |
Email: | [email protected] |