IRF5802
- Artikelnummer:
- IRF5802
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 150V 900MA 6TSOP
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- verfügbare Anzahl:
- 34449 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- IRF5802.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 5.5V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±30V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | Micro6™(TSOP-6) |
| Serie: | HEXFET® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.2 Ohm @ 540mA, 10V |
| Verlustleistung (max): | 2W (Ta) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-23-6 Thin, TSOT-23-6 |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 88pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 6.8nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 150V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 150V 900mA (Ta) 2W (Ta) Surface Mount Micro6™(TSOP-6) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 900mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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