IPU60R1K4C6BKMA1
- Artikelnummer:
- IPU60R1K4C6BKMA1
- Beschreibung:
- MOSFET NCH 600V 3.2A TO251
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Nicht zutreffend / Nicht zutreffend
- verfügbare Anzahl:
- 63101 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- IPU60R1K4C6BKMA1.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 90µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TO251-3 |
| Serie: | CoolMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.4 Ohm @ 1.1A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 28.4W (Tc) |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 155°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Not applicable / Not applicable |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 200pF @ 100V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 9.4nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | Super Junction |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 600V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 600V 3.2A (Tc) 28.4W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 3.2A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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