IPS10N03LA G
- Artikelnummer:
- IPS10N03LA G
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 25V 30A IPAK
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 74558 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- IPS10N03LA G.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2V @ 20µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TO251-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 10.4 mOhm @ 30A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 52W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-251-3 Stub Leads, IPak |
| Andere Namen: | IPS10N03LA G-ND IPS10N03LAG IPS10N03LAGX SP000015132 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1358pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 11nC @ 5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 25V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 25V 30A (Tc) 52W (Tc) Through Hole PG-TO251-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 30A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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