IPI12CNE8N G
- Artikelnummer:
- IPI12CNE8N G
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 85V 67A TO262-3
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 45923 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- IPI12CNE8N G.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 83µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TO262-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 12.6 mOhm @ 67A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 125W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-262-3 Long Leads, I²Pak, TO-262AA |
| Andere Namen: | IPI12CNE8N G-ND IPI12CNE8NG SP000208929 SP000680714 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 4340pF @ 40V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 64nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 85V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 85V 67A (Tc) 125W (Tc) Through Hole PG-TO262-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 67A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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