IPB180N06S4H1ATMA1
- Artikelnummer:
- IPB180N06S4H1ATMA1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 60V 180A TO263-7
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 37694 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- IPB180N06S4H1ATMA1.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 200µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TO263-7-3 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 1.7 mOhm @ 100A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 250W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab) |
| Andere Namen: | IPB180N06S4-H1 IPB180N06S4-H1-ND IPB180N06S4H1ATMA1TR SP000415562 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 175°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 21900pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 270nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 60V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 60V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 180A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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