HTNFET-DC
- Artikelnummer:
- HTNFET-DC
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 55V 8-DIP
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 45043 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- HTNFET-DC.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 100µA |
| Vgs (Max): | 10V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | - |
| Serie: | HTMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 400 mOhm @ 100mA, 5V |
| Verlustleistung (max): | 50W (Tj) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-CDIP Exposed Pad |
| Betriebstemperatur: | - |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 8 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 290pF @ 28V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 4.3nC @ 5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 55V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 55V 50W (Tj) Through Hole |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | - |
| Email: | [email protected] |
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