Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 65V, 60V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 400mV @ 10mA, 100mA / 500mV @ 50mA, 500mA |
Transistor-Typ: | NPN, PNP |
Supplier Device-Gehäuse: | SOT-363 |
Serie: | - |
Leistung - max: | 200mW |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | 6-TSSOP, SC-88, SOT-363 |
Andere Namen: | HBDM60V600W7 HBDM60V600WDITR |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 24 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 100MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 65V, 60V 500mA, 600mA 100MHz 200mW Surface Mount SOT-363 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 100 @ 100mA, 1V / 100 @ 150mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 100nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 500mA, 600mA |
Basisteilenummer: | HBDM60V600 |
Email: | [email protected] |