GT50J121(Q)
- Artikelnummer:
- GT50J121(Q)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- IGBT 600V 50A 240W TO3P LH
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 64936 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- GT50J121(Q).pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 600V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.45V @ 15V, 50A |
| Testbedingung: | 300V, 50A, 13 Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C: | 90ns/300ns |
| Schaltenergie: | 1.3mJ (on), 1.34mJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-3P(LH) |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 240W |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-3PL |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabetyp: | Standard |
| IGBT-Typ: | - |
| detaillierte Beschreibung: | IGBT 600V 50A 240W Through Hole TO-3P(LH) |
| Strom - Collector Pulsed (Icm): | 100A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 50A |
| Email: | [email protected] |
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