GB05SLT12-252
- Artikelnummer:
- GB05SLT12-252
- Hersteller:
- GeneSiC Semiconductor
- Beschreibung:
- DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 62695 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- GB05SLT12-252.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Spitzensperr- (max): | Silicon Carbide Schottky |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | 5A |
| Spannung - Durchschlag: | TO-252 |
| Serie: | - |
| RoHS Status: | Bulk |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Widerstand @ If, F: | 260pF @ 1V, 1MHz |
| Polarisation: | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Andere Namen: | 1242-1129 GB05SLT12252 |
| Betriebstemperatur - Anschluss: | 0ns |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 18 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | GB05SLT12-252 |
| Expanded Beschreibung: | Diode Silicon Carbide Schottky 1200V (1.2kV) 5A Surface Mount TO-252 |
| Diodenkonfiguration: | 50µA @ 1200V |
| Beschreibung: | DIODE SILICON 1.2KV 5A TO252 |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 1.8V @ 2A |
| Strom - Richt (Io) (pro Diode): | 1200V (1.2kV) |
| Kapazität @ Vr, F: | -55°C ~ 175°C |
| Email: | [email protected] |
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