FGA15N120ANTDTU-F109
- Artikelnummer:
- FGA15N120ANTDTU-F109
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- IGBT 1200V 30A 186W TO3P
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 7052 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- FGA15N120ANTDTU-F109.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 1200V |
| VCE (on) (Max) @ Vge, Ic: | 2.4V @ 15V, 15A |
| Testbedingung: | 600V, 15A, 10 Ohm, 15V |
| Td (ein / aus) bei 25 ° C: | 15ns/160ns |
| Schaltenergie: | 3mJ (on), 600µJ (off) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-3P |
| Serie: | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 330ns |
| Leistung - max: | 186W |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-3P-3, SC-65-3 |
| Andere Namen: | FGA15N120ANTDTU_F109 FGA15N120ANTDTU_F109-ND FGA15N120ANTDTUF109 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabetyp: | Standard |
| IGBT-Typ: | NPT and Trench |
| Gate-Ladung: | 120nC |
| detaillierte Beschreibung: | IGBT NPT and Trench 1200V 30A 186W Through Hole TO-3P |
| Strom - Collector Pulsed (Icm): | 45A |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 30A |
| Email: | [email protected] |
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