EGP10D
- Artikelnummer:
- EGP10D
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- DIODE GEN PURP 200V 1A DO41
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 42135 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- EGP10D.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Forward (Vf) (Max) @ If: | 950mV @ 1A |
| Spannung - Sperr (Vr) (max): | 200V |
| Supplier Device-Gehäuse: | DO-41 |
| Geschwindigkeit: | Fast Recovery = 200mA (Io) |
| Serie: | - |
| Rückwärts-Erholzeit (Trr): | 50ns |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | DO-204AL, DO-41, Axial |
| Andere Namen: | EGP10DCT |
| Betriebstemperatur - Anschluss: | -65°C ~ 150°C |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 12 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Diodentyp: | Standard |
| detaillierte Beschreibung: | Diode Standard 200V 1A Through Hole DO-41 |
| Strom - Sperrleckstrom @ Vr: | 5µA @ 200V |
| Strom - Richt (Io): | 1A |
| Kapazität @ Vr, F: | - |
| Basisteilenummer: | EGP10D |
| Email: | [email protected] |
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