DTDG23YPT100
- Artikelnummer:
- DTDG23YPT100
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS PREBIAS NPN 1.5W MPT3
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 5417 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- 1.DTDG23YPT100.pdf2.DTDG23YPT100.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 60V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 400mV @ 5mA, 500mA |
| Transistor-Typ: | NPN - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse: | MPT3 |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2): | 22 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1): | 2.2 kOhms |
| Leistung - max: | 1.5W |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-243AA |
| Andere Namen: | DTDG23YPT100-ND DTDG23YPT100TR |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 80MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) NPN - Pre-Biased 60V 1A 80MHz 1.5W Surface Mount MPT3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 300 @ 500mA, 2V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 1A |
| Basisteilenummer: | DTDG23 |
| Email: | [email protected] |
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