DTB723YMT2L
- Artikelnummer:
- DTB723YMT2L
- Hersteller:
- LAPIS Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS PREBIAS PNP 150MW VMT3
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 34784 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- DTB723YMT2L.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 30V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 2.5mA, 50mA |
| Transistor-Typ: | PNP - Pre-Biased |
| Supplier Device-Gehäuse: | VMT3 |
| Serie: | - |
| Widerstand - Emitterbasis (R2): | 10 kOhms |
| Widerstand - Basis (R1): | 2.2 kOhms |
| Leistung - max: | 150mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-723 |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 260MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Pre-Biased Bipolar Transistor (BJT) PNP - Pre-Biased 30V 200mA 260MHz 150mW Surface Mount VMT3 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 140 @ 100mA, 2V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 200mA |
| Email: | [email protected] |
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