DMN2013UFX-7
- Artikelnummer:
- DMN2013UFX-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Beschreibung:
- MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 64061 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- DMN2013UFX-7.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Prüfung: | 2607pF @ 10V |
| Spannung - Durchschlag: | W-DFN5020-6 |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 11.5 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| Serie: | - |
| RoHS Status: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 10A |
| Leistung - max: | 780mW |
| Polarisation: | 6-VFDFN Exposed Pad |
| Andere Namen: | DMN2013UFX-7DITR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 16 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | DMN2013UFX-7 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 57.4nC @ 8V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 1.1V @ 250µA |
| FET-Merkmal: | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Expanded Beschreibung: | Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) Common Drain 20V 10A 780mW Surface Mount W-DFN5020-6 |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | Logic Level Gate |
| Beschreibung: | MOSFET 2N-CH 20V 10A 6-DFN |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 20V |
| Email: | [email protected] |
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