DMN10H170SFDE-7
- Artikelnummer:
- DMN10H170SFDE-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 36977 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- DMN10H170SFDE-7.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Prüfung: | 1167pF @ 25V |
| Spannung - Durchschlag: | U-DFN2020-6 (Type E) |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 160 mOhm @ 5A, 10V |
| Vgs (Max): | 4.5V, 10V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Serie: | - |
| RoHS Status: | Tape & Reel (TR) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.9A (Ta) |
| Polarisation: | 6-UDFN Exposed Pad |
| Andere Namen: | DMN10H170SFDE-7DITR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsstufe (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 16 Weeks |
| Hersteller-Teilenummer: | DMN10H170SFDE-7 |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 9.7nC @ 10V |
| IGBT-Typ: | ±20V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 3V @ 250µA |
| FET-Merkmal: | N-Channel |
| Expanded Beschreibung: | N-Channel 100V 2.9A (Ta) 660mW (Ta) Surface Mount U-DFN2020-6 (Type E) |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | - |
| Beschreibung: | MOSFET N-CH 100V 2.9A 6UDFN |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 100V |
| Kapazitätsverhältnis: | 660mW (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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