DMG1016VQ-7
- Artikelnummer:
- DMG1016VQ-7
- Hersteller:
- Diodes Incorporated
- Beschreibung:
- MOSFET N/P-CH 20V SOT563
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 71756 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- DMG1016VQ-7.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Supplier Device-Gehäuse: | SOT-563 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 400 mOhm @ 600mA, 4.5V |
| Leistung - max: | 530mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | SOT-563, SOT-666 |
| Andere Namen: | DMG1016VQ-7DI DMG1016VQ-7DI-ND DMG1016VQ-7DITR |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 26 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 60.67pF @ 16V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.74nC @ 4.5V |
| Typ FET: | N and P-Channel |
| FET-Merkmal: | Logic Level Gate |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | Mosfet Array N and P-Channel 20V 870mA, 640mA 530mW Surface Mount SOT-563 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 870mA, 640mA |
| Email: | [email protected] |
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