CTLDM3590 TR
- Artikelnummer:
- CTLDM3590 TR
- Hersteller:
- Central Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 20V 0.16A TLM3D6D8
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 10553 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- CTLDM3590 TR.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1V @ 250µA |
| Vgs (Max): | 8V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TLM3D6D8 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3 Ohm @ 100mA, 4.5V |
| Verlustleistung (max): | 125mW (Ta) |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | 3-XFDFN |
| Andere Namen: | CTLDM3590 CT CTLDM3590 CT-ND CTLDM3590CT |
| Betriebstemperatur: | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 9pF @ 15V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 0.46nC @ 4.5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 1.2V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 20V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 20V 160mA (Ta) 125mW (Ta) Surface Mount TLM3D6D8 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 160mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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