CSD13306W
- Artikelnummer:
- CSD13306W
- Hersteller:
- TI
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 12V 3.5A
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 24541 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- CSD13306W.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 1.3V @ 250µA |
| Vgs (Max): | ±10V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | 6-DSBGA (1x1.5) |
| Serie: | NexFET™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 10.2 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
| Verlustleistung (max): | 1.9W (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 6-UFBGA, DSBGA |
| Andere Namen: | 296-49597-2 CSD13306W-ND |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 35 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 1370pF @ 6V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 11.2nC @ 4.5V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 2.5V, 4.5V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 12V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 12V 3.5A (Ta) 1.9W (Ta) Surface Mount 6-DSBGA (1x1.5) |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 3.5A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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