BSP298H6327XUSA1
- Artikelnummer:
- BSP298H6327XUSA1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 400V 500MA SOT-223
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 37174 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- BSP298H6327XUSA1.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 4V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-SOT223-4 |
| Serie: | SIPMOS® |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3 Ohm @ 500mA, 10V |
| Verlustleistung (max): | 1.8W (Ta) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-261-4, TO-261AA |
| Andere Namen: | BSP298H6327XUSA1TR SP001058626 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 400pF @ 25V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 400V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 400V 500mA (Ta) 1.8W (Ta) PG-SOT223-4 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 500mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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