BSC082N10LSGATMA1
- Artikelnummer:
- BSC082N10LSGATMA1
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 100V 100A TDSON-8
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 46844 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- BSC082N10LSGATMA1.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 2.4V @ 110µA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | PG-TDSON-8 |
| Serie: | OptiMOS™ |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 8.2 mOhm @ 100A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 156W (Tc) |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 8-PowerTDFN |
| Andere Namen: | BSC082N10LS G BSC082N10LS G-ND BSC082N10LS GTR-ND BSC082N10LSG BSC082N10LSGATMA1TR SP000379609 |
| Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 7400pF @ 50V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 104nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 100V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 100V 13.8A (Ta), 100A (Tc) 156W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 13.8A (Ta), 100A (Tc) |
| Email: | [email protected] |
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