Bedingung | New & Unused, Original Packing |
---|---|
Ursprung | Contact us |
VGS (th) (Max) @ Id: | 2.2V @ 250µA |
Vgs (Max): | ±20V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | PG-TDSON-8 |
Serie: | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 2.5 mOhm @ 30A, 10V |
Verlustleistung (max): | 2.5W (Ta), 83W (Tc) |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | 8-PowerTDFN |
Andere Namen: | BSC025N03LS G BSC025N03LSG BSC025N03LSGATMA1TR BSC025N03LSGINTR BSC025N03LSGINTR-ND BSC025N03LSGXT SP000269781 |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 6100pF @ 15V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 74nC @ 10V |
Typ FET: | N-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 4.5V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 30V |
detaillierte Beschreibung: | N-Channel 30V 25A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 25A (Ta), 100A (Tc) |
Email: | [email protected] |