Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 4.7V |
Transistor-Typ: | NPN |
Supplier Device-Gehäuse: | 4-TSFP |
Serie: | - |
Leistung - max: | 200mW |
Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
Verpackung / Gehäuse: | 4-SMD, Flat Leads |
Andere Namen: | BFP 640FESD H6327 BFP 640FESD H6327-ND BFP640FESDH6327XTSA1TR SP000890034 |
Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
Rauschzahl (dB Typ @ f): | 0.55dB ~ 1.7dB @ 150MHz ~ 10GHz |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 10 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Gewinnen: | 8B ~ 30.5dB |
Frequenz - Übergang: | 46GHz |
detaillierte Beschreibung: | RF Transistor NPN 4.7V 50mA 46GHz 200mW Surface Mount 4-TSFP |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 110 @ 30mA, 3V |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 50mA |
Basisteilenummer: | BFP640 |
Email: | [email protected] |