Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 300V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 600mV @ 5mA, 30mA |
Transistor-Typ: | PNP |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-92-3 |
Serie: | - |
Leistung - max: | 830mW |
Verpackung: | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Andere Namen: | 497-5718-1 BF421AP |
Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 60MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 300V 500mA 60MHz 830mW Through Hole TO-92-3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 50 @ 25mA, 20V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 10nA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 500mA |
Basisteilenummer: | BF421-AP |
Email: | [email protected] |