BDV65B
- Artikelnummer:
- BDV65B
- Hersteller:
- Central Semiconductor
- Beschreibung:
- POWER TRANSISTOR NPN TO218
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Enthält Blei / RoHS nicht konform
- verfügbare Anzahl:
- 18492 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- BDV65B.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 100V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | - |
| Transistor-Typ: | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-218 |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 125W |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-218-3 |
| Andere Namen: | BDV65BCS |
| Betriebstemperatur: | - |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
| Frequenz - Übergang: | 60MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 12A 60MHz 125W Through Hole TO-218 |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 1000 @ 5A, 4V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | - |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 12A |
| Email: | [email protected] |
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