Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 30V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 100µA, 100mA |
Transistor-Typ: | NPN - Darlington |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-92-3 |
Serie: | - |
Leistung - max: | 625mW |
Verpackung: | Bulk |
Verpackung / Gehäuse: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) |
Andere Namen: | BC517G-ND BC517GOS |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 200MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN - Darlington 30V 1A 200MHz 625mW Through Hole TO-92-3 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 30000 @ 20mA, 2V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 500nA |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 1A |
Basisteilenummer: | BC517 |
Email: | [email protected] |