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APTM50DAM17G
Artikelnummer:
APTM50DAM17G
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
MOSFET N-CH 500V 180A SP6
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
35841 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
1.APTM50DAM17G.pdf2.APTM50DAM17G.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Unused, Original Packing
Ursprung Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 10mA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:SP6
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:20 mOhm @ 90A, 10V
Verlustleistung (max):1250W (Tc)
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:SP6
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:28000pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:560nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):500V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 500V 180A (Tc) 1250W (Tc) Chassis Mount SP6
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:180A (Tc)
Email:[email protected]

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