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APTM20DAM08TG
Artikelnummer:
APTM20DAM08TG
Hersteller:
Microsemi
Beschreibung:
MOSFET N-CH 200V 208A SP4
Bleifreier Status / RoHS Status:
Bleifrei / RoHS-konform
verfügbare Anzahl:
63855 Pieces
Lieferzeit:
1-2 days
Datenblatt:
1.APTM20DAM08TG.pdf2.APTM20DAM08TG.pdf
Anfrage

Einführung

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Spezifikation

Bedingung New & Unused, Original Packing
Ursprung Contact us
VGS (th) (Max) @ Id:5V @ 5mA
Vgs (Max):±30V
Technologie:MOSFET (Metal Oxide)
Supplier Device-Gehäuse:SP4
Serie:-
Rds On (Max) @ Id, Vgs:10 mOhm @ 104A, 10V
Verlustleistung (max):781W (Tc)
Verpackung:Bulk
Verpackung / Gehäuse:SP4
Betriebstemperatur:-40°C ~ 150°C (TJ)
Befestigungsart:Chassis Mount
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL):1 (Unlimited)
Hersteller Standard Vorlaufzeit:32 Weeks
Bleifreier Status / RoHS-Status:Lead free / RoHS Compliant
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds:14400pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs:280nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET-Merkmal:-
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On):10V
Drain-Source-Spannung (Vdss):200V
detaillierte Beschreibung:N-Channel 200V 208A (Tc) 781W (Tc) Chassis Mount SP4
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C:208A (Tc)
Email:[email protected]

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