70T633S10BFG8
- Artikelnummer:
- 70T633S10BFG8
- Hersteller:
- IDT (Integrated Device Technology)
- Beschreibung:
- IC SRAM 9M PARALLEL 208CABGA
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 28727 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- 70T633S10BFG8.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Schreibzyklus Zeit - Wort, Seite: | 10ns |
| Spannungsversorgung: | 2.4 V ~ 2.6 V |
| Technologie: | SRAM - Dual Port, Asynchronous |
| Supplier Device-Gehäuse: | 208-CABGA (15x15) |
| Serie: | - |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | 208-LFBGA |
| Andere Namen: | IDT70T633S10BFG8 IDT70T633S10BFG8-ND |
| Betriebstemperatur: | 0°C ~ 70°C (TA) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 3 (168 Hours) |
| Speichertyp: | Volatile |
| Speichergröße: | 9Mb (512K x 18) |
| Speicherschnittstelle: | Parallel |
| Speicherformat: | SRAM |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| detaillierte Beschreibung: | SRAM - Dual Port, Asynchronous Memory IC 9Mb (512K x 18) Parallel 10ns 208-CABGA (15x15) |
| Zugriffszeit: | 10ns |
| Email: | [email protected] |
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