Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
VGS (th) (Max) @ Id: | 900mV @ 250µA |
Vgs (Max): | ±8V |
Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse: | 8-SO |
Serie: | HEXFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 7 mOhm @ 16A, 4.5V |
Verlustleistung (max): | 2.5W (Ta) |
Verpackung: | Tube |
Verpackung / Gehäuse: | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Andere Namen: | IRF7410GPBF IRF7410GPBF-ND SP001550562 |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Surface Mount |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 8676pF @ 10V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 91nC @ 4.5V |
Typ FET: | P-Channel |
FET-Merkmal: | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 1.8V, 4.5V |
Drain-Source-Spannung (Vdss): | 12V |
detaillierte Beschreibung: | P-Channel 12V 16A (Ta) 2.5W (Ta) Surface Mount 8-SO |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 16A (Ta) |
Email: | [email protected] |