4N35TVM
- Artikelnummer:
- 4N35TVM
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- OPTOISO 4.17KV TRANS W/BASE 6DIP
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 50015 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- 4N35TVM.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Ausgabe (max): | 30V |
| Spannung - Isolation: | 4170Vrms |
| Spannung - Vorwärts (Vf) (Typ): | 1.18V |
| VCE Sätttigung (max): | 300mV |
| Ein- / Ausschaltzeit (Typ): | 2µs, 2µs |
| Supplier Device-Gehäuse: | 6-DIP |
| Serie: | - |
| Aufstieg / Fallzeit (Typ): | - |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | 6-DIP (0.400", 10.16mm) |
| Ausgabetyp: | Transistor with Base |
| Betriebstemperatur: | -40°C ~ 100°C |
| Anzahl der Kanäle: | 1 |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 9 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabetyp: | DC |
| detaillierte Beschreibung: | Optoisolator Transistor with Base Output 4170Vrms 1 Channel 6-DIP |
| Gleichstrom-Übertragungsverhältnis (min): | 100% @ 10mA |
| Stromübertragungsverhältnis (max): | - |
| Strom - Ausgang / Kanal: | - |
| Strom - DC Vorwärts (If) (Max): | 60mA |
| Basisteilenummer: | 4N35 |
| Email: | [email protected] |
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