2SK536-TB-E
- Artikelnummer:
- 2SK536-TB-E
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 50V 0.1A
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 21238 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- 2SK536-TB-E.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | - |
| Vgs (Max): | ±12V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | SC-59 |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 20 Ohm @ 10mA, 10V |
| Verlustleistung (max): | 200mW (Ta) |
| Verpackung: | Cut Tape (CT) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Andere Namen: | 2SK536-TB-EOSCT |
| Betriebstemperatur: | 125°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 2 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 15pF @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 50V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 50V 100mA (Ta) 200mW (Ta) Surface Mount SC-59 |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 100mA (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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