2SK1119(F)
- Artikelnummer:
- 2SK1119(F)
- Hersteller:
- Toshiba Semiconductor and Storage
- Beschreibung:
- MOSFET N-CH 1000V 4A TO-220AB
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 45972 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- 1.2SK1119(F).pdf2.2SK1119(F).pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| VGS (th) (Max) @ Id: | 3.5V @ 1mA |
| Vgs (Max): | ±20V |
| Technologie: | MOSFET (Metal Oxide) |
| Supplier Device-Gehäuse: | TO-220AB |
| Serie: | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs: | 3.8 Ohm @ 2A, 10V |
| Verlustleistung (max): | 100W (Tc) |
| Verpackung: | Tube |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-220-3 |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds: | 700pF @ 25V |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: | 60nC @ 10V |
| Typ FET: | N-Channel |
| FET-Merkmal: | - |
| Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On): | 10V |
| Drain-Source-Spannung (Vdss): | 1000V |
| detaillierte Beschreibung: | N-Channel 1000V 4A (Ta) 100W (Tc) Through Hole TO-220AB |
| Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C: | 4A (Ta) |
| Email: | [email protected] |
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