Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 600mV @ 30mA, 300mA |
Transistor-Typ: | NPN |
Supplier Device-Gehäuse: | MT-1-A1 |
Serie: | - |
Leistung - max: | 600mW |
Verpackung: | Cut Tape (CT) |
Verpackung / Gehäuse: | 3-SIP |
Andere Namen: | 2SD1992A 2SD1992A0ACT 2SD1992ACT 2SD1992ACT-ND |
Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Frequenz - Übergang: | 200MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 500mA 200MHz 600mW Through Hole MT-1-A1 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 85 @ 10mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 1µA |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 500mA |
Basisteilenummer: | 2SD1992 |
Email: | [email protected] |