Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 100V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 400mV @ 200mA, 2A |
Transistor-Typ: | NPN |
Supplier Device-Gehäuse: | TP |
Serie: | - |
Leistung - max: | 1W |
Verpackung: | Bulk |
Verpackung / Gehäuse: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
Andere Namen: | 2SD1816T-E-ND 2SD1816T-EOS |
Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 180MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 100V 4A 180MHz 1W Through Hole TP |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 200 @ 500mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 1µA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 4A |
Basisteilenummer: | 2SD1816 |
Email: | [email protected] |