2SC6017-E
- Artikelnummer:
- 2SC6017-E
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS NPN 50V 10A TP
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 66878 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- 2SC6017-E.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
| VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 360mV @ 250mA, 5A |
| Transistor-Typ: | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse: | TP |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 950mW |
| Verpackung: | Bulk |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA |
| Andere Namen: | 2SC6017-E-ND 2SC6017-EOS |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Befestigungsart: | Through Hole |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 4 Weeks |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Frequenz - Übergang: | 200MHz |
| detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 10A 200MHz 950mW Through Hole TP |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 200 @ 1A, 2V |
| Strom - Collector Cutoff (Max): | 10µA (ICBO) |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 10A |
| Email: | [email protected] |
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