2SC5415AF-TD-E
- Artikelnummer:
- 2SC5415AF-TD-E
- Hersteller:
- AMI Semiconductor / ON Semiconductor
- Beschreibung:
- TRANS NPN BIPO 0.1A 12V
- Bleifreier Status / RoHS Status:
- Bleifrei / RoHS-konform
- verfügbare Anzahl:
- 52381 Pieces
- Lieferzeit:
- 1-2 days
- Datenblatt:
- 2SC5415AF-TD-E.pdf
Einführung
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Spezifikation
| Bedingung | New & Unused, Original Packing |
|---|---|
| Ursprung | Contact us |
| Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 12V |
| Transistor-Typ: | NPN |
| Supplier Device-Gehäuse: | PCP |
| Serie: | - |
| Leistung - max: | 800mW |
| Verpackung: | Tape & Reel (TR) |
| Verpackung / Gehäuse: | TO-243AA |
| Betriebstemperatur: | 150°C (TJ) |
| Rauschzahl (dB Typ @ f): | 1.1dB @ 1GHz |
| Befestigungsart: | Surface Mount |
| Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
| Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
| Gewinnen: | 9dB |
| Frequenz - Übergang: | 6.7GHz |
| detaillierte Beschreibung: | RF Transistor NPN 12V 100mA 6.7GHz 800mW Surface Mount PCP |
| DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 90 @ 30mA, 5V |
| Strom - Kollektor (Ic) (max): | 100mA |
| Email: | [email protected] |
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