Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 40V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 400mV @ 5mA, 50mA |
Transistor-Typ: | PNP |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-92 |
Serie: | - |
Leistung - max: | 600mW |
Verpackung: | Tape & Box (TB) |
Verpackung / Gehäuse: | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
Andere Namen: | 2N3906-APTB 2N3906AP |
Betriebstemperatur: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 14 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Lead free / RoHS Compliant |
Frequenz - Übergang: | 250MHz |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor PNP 40V 200mA 250MHz 600mW Through Hole TO-92 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 100 @ 10mA, 1V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | - |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 200mA |
Basisteilenummer: | 2N3906 |
Email: | [email protected] |