Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 60V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 300mV @ 100µA, 1mA |
Transistor-Typ: | 2 NPN (Dual) |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-78-6 |
Serie: | - |
Leistung - max: | 350mW |
Verpackung: | Bulk |
Verpackung / Gehäuse: | TO-78-6 Metal Can |
Andere Namen: | 1086-20764 1086-20764-MIL |
Betriebstemperatur: | 200°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Feuchtigkeitsempfindlichkeitsniveau (MSL): | 1 (Unlimited) |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 12 Weeks |
Bleifreier Status / RoHS-Status: | Contains lead / RoHS non-compliant |
Frequenz - Übergang: | - |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor Array 2 NPN (Dual) 60V 30mA 350mW Through Hole TO-78-6 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 150 @ 1mA, 5V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 10µA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 30mA |
Email: | [email protected] |