Bedingung | New & Unused, Original Packing |
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Ursprung | Contact us |
Spannung - Kollektor-Emitter-Durchbruch (max): | 50V |
VCE Sättigung (Max) @ Ib, Ic: | 1V @ 50mA, 500mA |
Transistor-Typ: | NPN |
Supplier Device-Gehäuse: | TO-18 |
Serie: | - |
Leistung - max: | 500mW |
Verpackung / Gehäuse: | TO-206AA, TO-18-3 Metal Can |
Betriebstemperatur: | -65°C ~ 200°C (TJ) |
Befestigungsart: | Through Hole |
Hersteller Standard Vorlaufzeit: | 8 Weeks |
Frequenz - Übergang: | - |
detaillierte Beschreibung: | Bipolar (BJT) Transistor NPN 50V 800mA 500mW Through Hole TO-18 |
DC Stromgewinn (HFE) (Min) @ Ic, VCE: | 100 @ 150mA, 10V |
Strom - Collector Cutoff (Max): | 10µA (ICBO) |
Strom - Kollektor (Ic) (max): | 800mA |
Email: | [email protected] |