SIHP14N50D-GE3
SIHP14N50D-GE3
Part Number:
SIHP14N50D-GE3
Výrobce:
Electro-Films (EFI) / Vishay
Popis:
MOSFET N-CH 500V 14A TO-200AB
Stav volného vedení / RoHS:
Bez olova / V souladu RoHS
dostupné množství:
5112 Pieces
Čas doručení:
1-2 days
Datový list:
SIHP14N50D-GE3.pdf

Úvod

We can supply SIHP14N50D-GE3, use the request quote form to request SIHP14N50D-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SIHP14N50D-GE3.The price and lead time for SIHP14N50D-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SIHP14N50D-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

Specifikace

Stav New & Unused, Original Packing
Původ Contact us
Vgs (th) (max) 'Id:5V @ 250µA
Vgs (Max):±30V
Technika:MOSFET (Metal Oxide)
Dodavatel zařízení Package:TO-220AB
Série:-
RDS On (Max) @ Id, Vgs:400 mOhm @ 7A, 10V
Ztráta energie (Max):208W (Tc)
Obal:Tape & Reel (TR)
Paket / krabice:TO-220-3
Provozní teplota:-55°C ~ 150°C (TJ)
Typ montáže:Through Hole
Úroveň citlivosti na vlhkost (MSL):1 (Unlimited)
Výrobní standardní doba výroby:18 Weeks
Stav volného vedení / RoHS:Lead free / RoHS Compliant
Vstupní kapacita (Ciss) (Max) @ Vds:1144pF @ 100V
Nabíjení brány (Qg) (Max) @ Vgs:58nC @ 10V
Typ FET:N-Channel
FET Feature:-
Napětí měniče (max. Zap. RDS, min. Zap. Zap.):10V
Drain na zdroj napětí (Vdss):500V
Detailní popis:N-Channel 500V 14A (Tc) 208W (Tc) Through Hole TO-220AB
Proud - kontinuální odtok (Id) @ 25 ° C:14A (Tc)
Email:[email protected]

Rychlé Žádost o cenovou nabídku

Part Number
Množství
Společnost
E-mailem
Telefon
Komentáře