بطاقة خط

NVE Corporation

NVE Corporation

- إن NVE هي شركة تصنيع مكونات إلكترونية متخصصة في الجمع بين المواد الحساسة مغناطيسياً والدوائر المتكاملة. تتميز هذه التقنية المغناطيسية الجديدة ذات الحالة الصلبة بالحساسية العالية للمجالات المغناطيسية إلى جانب الحجم الصغير والطاقة المنخفضة. طبقت NVE هذه التقنيات على المستشعرات المغناطيسية والعوازل وذاكرة الوصول العشوائي Magnetoresistive (MRAM). وغالباً ما تتفوق هذه المكونات على الأجهزة الحالية ، حيث تقدم حلول فعالة من حيث التكلفة ومحسّنة للأداء لتطبيقات الاستشعار عن بعد ونقل البيانات. NVE حاصلة على شهادة ISO 9001.
منذ تأسيسها في عام 1989 بتكنولوجيا من هانيويل إنترناشونال ، أصبحت NVE رائدة عالمية معترف بها في أبحاث المواد الحساسة مغناطيسيا. في عام 1994 ، قدمت شركة NVE أول منتجات في العالم باستخدام مواد Giant Magnetoresistive (GMR). يستخدم هذا الخط من المستشعرات والمجسات المغناطيسية للموضع والوسائط المغناطيسية وسرعة العجلات وتطبيقات الاستشعار الحالية.

وبالمثل ، في عام 1999 ، قدمت NVE مجموعة منتجاتها IsoLoop® من العوازل الرقمية عالية السرعة للاتصالات وأجهزة التحكم الصناعية وتطبيقات الكمبيوتر. هذه العوازل استبدال 100 megabaud opto هي الأسرع المتاحة في العالم.
صورة رقم القطعة وصف رأي
IL516ETR13 Image IL516ETR13 DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL715-3B DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL017E Image IL017E DGTL ISO LOW POW 4-CH تحقيق
IL611-1 Image IL611-1 DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8MSOP تحقيق
IL260-3E Image IL260-3E DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL3285 Image IL3285 DGTL ISO RS422/RS485 16SOIC تحقيق
IL711T-2E DGTL ISO 2.5KV 2CH GEN PURP 8DIP تحقيق
IL260E Image IL260E DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL262E Image IL262E DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL712-2E Image IL712-2E DGTL ISO 2.5KV 2CH GEN PURP 8DIP تحقيق
IL613E Image IL613E DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL3422-3E Image IL3422-3E DGTL ISO RS422/RS485 16SOIC تحقيق
IL3485E Image IL3485E DGTL ISO RS422/RS485 16SOIC تحقيق
IL41050TTVE ISOLATED CAN TRANSCEIVER 5KV WID تحقيق
IL717ETR13 Image IL717ETR13 DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL261-3E Image IL261-3E DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL712T-3 Image IL712T-3 DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC تحقيق
IL717B Image IL717B DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL716-3B Image IL716-3B DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL715-3ETR7 Image IL715-3ETR7 DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL710-3E Image IL710-3E DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8-SOIC تحقيق
IL260 Image IL260 DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL717-3E Image IL717-3E DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL610A-2 Image IL610A-2 DGTL ISO 2.5KV 1CH GEN PURP 8DIP تحقيق
IL710T-2E DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8DIP تحقيق
IL721-3E Image IL721-3E DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC تحقيق
IL710T-3E DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC تحقيق
IL260VE Image IL260VE DGTL ISO 6KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL614-3 DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL422 Image IL422 DGTL ISO RS422/RS485 16SOIC تحقيق
IL3285-3E Image IL3285-3E DGTL ISO RS422/RS485 16SOIC تحقيق
IL711V-1E Image IL711V-1E DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8MSOP تحقيق
IL711S-1E Image IL711S-1E DGTL ISO 1KV 2CH GEN PURP 8MSOP تحقيق
IL710-2E Image IL710-2E DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8DIP تحقيق
IL716TR13 Image IL716TR13 DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL611A-2 DGTL ISO 2.5KV 2CH GEN PURP 8DIP تحقيق
IL612A-2E Image IL612A-2E DGTL ISO 2.5KV 2CH GEN PURP 8DIP تحقيق
IL016E Image IL016E DGTL ISO LOW POW 4-CH تحقيق
IL710-2B DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8DIP تحقيق
IL3185E Image IL3185E DGTL ISO RS422/RS485 16SOIC تحقيق
IL816T-3E DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL610-3E Image IL610-3E DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC تحقيق
IL710-3B DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8-SOIC تحقيق
IL721VE Image IL721VE DGTL ISO 6KV 2CH GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL485E-3V Image IL485E-3V DGTL ISO RS422/RS485 16SOIC تحقيق
IL7710-2 DGTL ISO 2.5KV 1CH GEN PURP 8DIP تحقيق
IL610A-1E Image IL610A-1E DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8MSOP تحقيق
IL3222E Image IL3222E DGTL ISO RS422/RS485 16SOIC تحقيق
IL610-2E Image IL610-2E DGTL ISO 2.5KV 1CH GEN PURP 8DIP تحقيق
IL3685VE Image IL3685VE DGTL ISO 6KV RS422/RS485 16SOIC تحقيق
سجلات 219
سابق12345التالينهاية