بطاقة خط

NVE Corporation

NVE Corporation

- إن NVE هي شركة تصنيع مكونات إلكترونية متخصصة في الجمع بين المواد الحساسة مغناطيسياً والدوائر المتكاملة. تتميز هذه التقنية المغناطيسية الجديدة ذات الحالة الصلبة بالحساسية العالية للمجالات المغناطيسية إلى جانب الحجم الصغير والطاقة المنخفضة. طبقت NVE هذه التقنيات على المستشعرات المغناطيسية والعوازل وذاكرة الوصول العشوائي Magnetoresistive (MRAM). وغالباً ما تتفوق هذه المكونات على الأجهزة الحالية ، حيث تقدم حلول فعالة من حيث التكلفة ومحسّنة للأداء لتطبيقات الاستشعار عن بعد ونقل البيانات. NVE حاصلة على شهادة ISO 9001.
منذ تأسيسها في عام 1989 بتكنولوجيا من هانيويل إنترناشونال ، أصبحت NVE رائدة عالمية معترف بها في أبحاث المواد الحساسة مغناطيسيا. في عام 1994 ، قدمت شركة NVE أول منتجات في العالم باستخدام مواد Giant Magnetoresistive (GMR). يستخدم هذا الخط من المستشعرات والمجسات المغناطيسية للموضع والوسائط المغناطيسية وسرعة العجلات وتطبيقات الاستشعار الحالية.

وبالمثل ، في عام 1999 ، قدمت NVE مجموعة منتجاتها IsoLoop® من العوازل الرقمية عالية السرعة للاتصالات وأجهزة التحكم الصناعية وتطبيقات الكمبيوتر. هذه العوازل استبدال 100 megabaud opto هي الأسرع المتاحة في العالم.
صورة رقم القطعة وصف رأي
IL3585E Image IL3585E DG ISO 2.5KV RS422/RS485 16SOIC تحقيق
IL612A-3E Image IL612A-3E DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC تحقيق
IL611A-1 Image IL611A-1 DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8MSOP تحقيق
IL611A-1E Image IL611A-1E DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8MSOP تحقيق
IL3522VE Image IL3522VE DGTL ISO 6KV RS422/RS485 16SOIC تحقيق
IL611-1E Image IL611-1E DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8MSOP تحقيق
IL715T-3E Image IL715T-3E DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL610A-1 Image IL610A-1 DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8MSOP تحقيق
IL710-2 Image IL710-2 DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8DIP تحقيق
IL41050TAE Image IL41050TAE DGTL ISO 2.5KV 2CH CAN 16SOIC تحقيق
IL261 Image IL261 DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL41050TTE ISOLATED CAN TRANSCEIVER 2.5KV W تحقيق
IL711-3B DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC تحقيق
IL3222-3E Image IL3222-3E DGTL ISO RS422/RS485 16SOIC تحقيق
IL3122-3E Image IL3122-3E DGTL ISO RS422/RS485 16SOIC تحقيق
IL610-3TR7 DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC تحقيق
IL511-3E Image IL511-3E DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8-SOIC تحقيق
IL611A-3 DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC تحقيق
IL715 Image IL715 DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL711T-1E Image IL711T-1E DGTL ISO 1KV 2CH GEN PURP 8MSOP تحقيق
IL712S-1E Image IL712S-1E DGTL ISO 1KV 2CH GEN PURP 8MSOP تحقيق
IL7710-3 DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC تحقيق
IL012-3E DGTL ISO LOW POW 2-CH تحقيق
IL612A-2 DGTL ISO 2.5KV 2CH GEN PURP 8DIP تحقيق
IL711VE Image IL711VE DGTL ISO 6KV 2CH GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL716VE Image IL716VE DGTL ISO 6KV 4CH GEN PURP 16SOIC تحقيق
DC002-10 IC SENSOR REG/PWR SW 5.0V 6-TDFN تحقيق
IL485WE Image IL485WE DGTL ISO RS422/RS485 16SOIC تحقيق
IL260-3B DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL612-2 DGTL ISO 2.5KV 2CH GEN PURP 8DIP تحقيق
IL712-3E Image IL712-3E DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC تحقيق
IL260B Image IL260B DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL3085-1E Image IL3085-1E DGTL ISO RS422/RS485 16QSOP تحقيق
IL711-2E Image IL711-2E DGTL ISO 2.5KV 2CH GEN PURP 8DIP تحقيق
IL715-1E Image IL715-1E DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16QSOP تحقيق
IL715T-3 Image IL715T-3 DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL717E Image IL717E DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL712S-3E Image IL712S-3E DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC تحقيق
IL614 Image IL614 DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL260-1E Image IL260-1E DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16QSOP تحقيق
IL3185-3E Image IL3185-3E DGTL ISO RS422/RS485 16SOIC تحقيق
IL612-2E DGTL ISO 2.5KV 2CH GEN PURP 8DIP تحقيق
IL715B Image IL715B DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL711-3 Image IL711-3 DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC تحقيق
IL262VE Image IL262VE DGTL ISO 6KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL611-3 DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8SOIC تحقيق
IL710T-3 Image IL710T-3 DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8-SOIC تحقيق
IL261VE Image IL261VE DGTL ISO 6KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
IL510-1E Image IL510-1E DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 8MSOP تحقيق
IL715E Image IL715E DGTL ISO 2.5KV GEN PURP 16SOIC تحقيق
سجلات 219
سابق12345التالينهاية