TPC8212-H(TE12LQ,M
رقم القطعة:
TPC8212-H(TE12LQ,M
الصانع:
Toshiba Semiconductor and Storage
وصف:
MOSFET 2N-CH 30V 6A SOP8
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
65818 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
1.TPC8212-H(TE12LQ,M.pdf2.TPC8212-H(TE12LQ,M.pdf

المقدمة

We can supply TPC8212-H(TE12LQ,M, use the request quote form to request TPC8212-H(TE12LQ,M pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number TPC8212-H(TE12LQ,M.The price and lead time for TPC8212-H(TE12LQ,M depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# TPC8212-H(TE12LQ,M.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

مواصفات

شرط New & Unused, Original Packing
الأصل Contact us
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:2.3V @ 1mA
تجار الأجهزة حزمة:8-SOP (5.5x6.0)
سلسلة:-
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:21 mOhm @ 3A, 10V
السلطة - ماكس:450mW
التعبئة والتغليف:Tape & Reel (TR)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.173", 4.40mm Width)
درجة حرارة التشغيل:150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:840pF @ 10V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:16nC @ 10V
نوع FET:2 N-Channel (Dual)
FET الميزة:Logic Level Gate
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):30V
وصف تفصيلي:Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 30V 6A 450mW Surface Mount 8-SOP (5.5x6.0)
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:6A
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات