SIHD6N65ET1-GE3
SIHD6N65ET1-GE3
رقم القطعة:
SIHD6N65ET1-GE3
الصانع:
Electro-Films (EFI) / Vishay
وصف:
MOSFET N-CH 650V 7A TO252AA
الكمية المتوفرة:
40547 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
SIHD6N65ET1-GE3.pdf

المقدمة

We can supply SIHD6N65ET1-GE3, use the request quote form to request SIHD6N65ET1-GE3 pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number SIHD6N65ET1-GE3.The price and lead time for SIHD6N65ET1-GE3 depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# SIHD6N65ET1-GE3.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

مواصفات

شرط New & Unused, Original Packing
الأصل Contact us
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:4V @ 250µA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-252AA
سلسلة:E
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:600 mOhm @ 3A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):78W (Tc)
حزمة / كيس:TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Surface Mount
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:820pF @ 100V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:48nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):650V
وصف تفصيلي:N-Channel 650V 7A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252AA
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات