شرط | New & Unused, Original Packing |
---|---|
الأصل | Contact us |
VGS (ال) (ماكس) @ إيد: | 900mV @ 1mA |
فغس (ماكس): | ±8V |
تكنولوجيا: | MOSFET (Metal Oxide) |
تجار الأجهزة حزمة: | PowerPAK® SO-8 |
سلسلة: | TrenchFET® |
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS: | 7.3 mOhm @ 20A, 4.5V |
تبديد الطاقة (ماكس): | 1.8W (Ta) |
التعبئة والتغليف: | Original-Reel® |
حزمة / كيس: | PowerPAK® SO-8 |
اسماء اخرى: | SI7485DP-T1-GE3DKR |
درجة حرارة التشغيل: | -55°C ~ 150°C (TJ) |
تصاعد نوع: | Surface Mount |
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL): | 1 (Unlimited) |
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات: | Lead free / RoHS Compliant |
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس: | 150nC @ 5V |
نوع FET: | P-Channel |
FET الميزة: | - |
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على): | 1.8V, 4.5V |
استنزاف لجهد المصدر (Vdss): | 20V |
وصف تفصيلي: | P-Channel 20V 12.5A (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PowerPAK® SO-8 |
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C: | 12.5A (Ta) |
Email: | [email protected] |