NCD5701BDR2G
رقم القطعة:
NCD5701BDR2G
الصانع:
AMI Semiconductor / ON Semiconductor
وصف:
HIGH CURRENT IGBT GATE DRIVER
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
29619 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
NCD5701BDR2G.pdf

المقدمة

We can supply NCD5701BDR2G, use the request quote form to request NCD5701BDR2G pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number NCD5701BDR2G.The price and lead time for NCD5701BDR2G depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# NCD5701BDR2G.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

مواصفات

شرط New & Unused, Original Packing
الأصل Contact us
الجهد - توريد:20V
تجار الأجهزة حزمة:8-SOIC
سلسلة:NCD5701
ارتفاع / سقوط الوقت (طباع):18ns, 19ns
التعبئة والتغليف:Cut Tape (CT)
حزمة / كيس:8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
اسماء اخرى:NCD5701BDR2GOSCT
درجة حرارة التشغيل:-40°C ~ 150°C (TJ)
تردد الإدخال:1
تصاعد نوع:Surface Mount
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):1 (Unlimited)
الصانع المهلة القياسية:4 Weeks
المنطق الجهد - فيل، فيه:-
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
نوع المدخلات:-
نوع البوابة:IGBT
تكوين مدفوعة:Low-Side
وصف تفصيلي:Low-Side Gate Driver IC 8-SOIC
الحالي - ذروة الانتاج (المصدر، بالوعة):7.8A, 6.8A
قاعدة باعث تشبع الجهد (ماكس):Single
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات