MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
رقم القطعة:
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E
الصانع:
Micron Technology
وصف:
IC FLASH RAM 4G PARALLEL 533MHZ
حالة الرصاص الحرة / بنفايات الحالة:
الرصاص الحرة / بنفايات المتوافقة
الكمية المتوفرة:
27789 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E.pdf

المقدمة

We can supply MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E, use the request quote form to request MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E.The price and lead time for MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

مواصفات

شرط New & Unused, Original Packing
الأصل Contact us
كتابة دورة الزمن - كلمة، الصفحة:-
الجهد - توريد:1.8V
تكنولوجيا:FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2
سلسلة:-
اسماء اخرى:MT29RZ4B2DZZHGSK-18 W.80E-ND
MT29RZ4B2DZZHGSK-18W.80E
درجة حرارة التشغيل:-25°C ~ 85°C (TA)
مستوى الحساسية للرطوبة (MSL):3 (168 Hours)
نوع الذاكرة:Non-Volatile
حجم الذاكرة:4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2)
واجهة الذاكرة:Parallel
تنسيق الذاكرة:FLASH, RAM
حالة خالية من الرصاص / حالة بنفايات:Lead free / RoHS Compliant
وصف تفصيلي:FLASH - NAND, DRAM - LPDDR2 Memory IC 4Gb (512M x 8)(NAND), 2G (64M x 32)(LPDDR2) Parallel 533MHz
تردد على مدار الساعة:533MHz
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات