العربية
English Deutsch Français русский español Português Italia 한국의 العربية Türk dili polski Indonesia Tiếng Việt ภาษาไทย Nederland Pilipino Čeština 繁体中文 Magyarország Kongeriket Dansk Svenska Hrvatska✕
معلومات عنا | اتصل بنا | اطلب اقتباس |
الصفحة الرئيسية > منتجات > منتجات أشباه الموصلات المنفصلة > الترانزستورات - فيتس، موسيتس - واحدة > IXFH7N100P
IXFH7N100P
رقم القطعة:
IXFH7N100P
الصانع:
IXYS Corporation
وصف:
MOSFET N-CH
الكمية المتوفرة:
67347 Pieces
موعد التسليم:
1-2 days
ورقة البيانات:
IXFH7N100P.pdf
تحقيق

المقدمة

We can supply IXFH7N100P, use the request quote form to request IXFH7N100P pirce and lead time.XXX.com a professional electronic components distributor. With 3+ Million line items of available electronic components can ship in short lead-time, over 250 thousand part numbers of electronic components in stock for immediately delivery, which may include part number IXFH7N100P.The price and lead time for IXFH7N100P depending on the quantity required, availability and warehouse location.Contact us today and our sales representative will provide you price and delivery on Part# IXFH7N100P.We look forward to working with you to establish long-term relations of cooperation

مواصفات

شرط New & Unused, Original Packing
الأصل Contact us
VGS (ال) (ماكس) @ إيد:6V @ 1mA
فغس (ماكس):±30V
تكنولوجيا:MOSFET (Metal Oxide)
تجار الأجهزة حزمة:TO-247
سلسلة:HiPerFET™, Polar™
RDS على (ماكس) @ إيد، VGS:1.9 Ohm @ 3.5A, 10V
تبديد الطاقة (ماكس):300W (Tc)
حزمة / كيس:TO-247-3
درجة حرارة التشغيل:-55°C ~ 150°C (TJ)
تصاعد نوع:Through Hole
الصانع المهلة القياسية:24 Weeks
مدخلات السعة (سيس) (ماكس) @ فدس:2590pF @ 25V
غيت تشارج (ق) (ماكس) @ فغس:47nC @ 10V
نوع FET:N-Channel
FET الميزة:-
محرك الجهد (ماكس رديز على، دقيقة رديز على):10V
استنزاف لجهد المصدر (Vdss):1000V
وصف تفصيلي:N-Channel 1000V 7A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247
الحالي - استنزاف مستمر (إد) @ 25 ° C:7A (Tc)
Email:[email protected]

سريع طلب اقتباس

رقم القطعة
كمية
شركة
البريد الإلكتروني
هاتف
تعليقات

قطع الغيار ذات الصلة لIXFH7N100P

صورة رقم القطعة مصنعين وصف رأي
IXFH80N08 Image IXFH80N08 IXYS Corporation MOSFET N-CH 80V 80A TO-247 تحقيق
IXFH76N07-12 Image IXFH76N07-12 IXYS Corporation MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD تحقيق
IXFH76N07-11 Image IXFH76N07-11 IXYS Corporation MOSFET N-CH 70V 76A TO-247AD تحقيق
IXFH80N10Q Image IXFH80N10Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 80A TO-247AD تحقيق
IXFH72N30X3 Image IXFH72N30X3 IXYS Corporation 300V/72A ULTRA JUNCTION X3-CLASS تحقيق
IXFH76N15T2 IXYS Corporation MOSFET N-CH تحقيق
IXFH80N15Q Image IXFH80N15Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 150V 80A TO-247AD تحقيق
IXFH80N085 Image IXFH80N085 IXYS Corporation MOSFET N-CH 85V 80A TO-247 تحقيق
IXFH80N06 Image IXFH80N06 IXYS Corporation MOSFET N-CH 60V 80A TO-247 تحقيق
IXFH80N20Q Image IXFH80N20Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 80A TO-247AD تحقيق
IXFH75N10Q Image IXFH75N10Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD تحقيق
IXFH70N30Q3 Image IXFH70N30Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 300V 70A TO-247 تحقيق
IXFH75N10 Image IXFH75N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 75A TO-247AD تحقيق
IXFH7N80 Image IXFH7N80 IXYS Corporation MOSFET N-CH 800V 7A TO-247AD تحقيق
IXFH80N10 Image IXFH80N10 IXYS Corporation MOSFET N-CH 100V 80A TO-247 تحقيق
IXFH74N20P Image IXFH74N20P IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 74A TO-247 تحقيق
IXFH7N90Q Image IXFH7N90Q IXYS Corporation MOSFET N-CH 900V 7A TO-247 تحقيق
IXFH80N25X3 Image IXFH80N25X3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 250V 80A TO247 تحقيق
IXFH74N20 Image IXFH74N20 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 74A TO-247 تحقيق
IXFH70N20Q3 Image IXFH70N20Q3 IXYS Corporation MOSFET N-CH 200V 70A TO-247 تحقيق

Latest الأخبار